Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.!

+86 15361839241 +86 0755-23603516
Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
AUIRF3805S-7P

AUIRF3805S-7P

AUTOMOTIVE N CHANNEL

International Rectifier

150 3.28
- +

Добавить

Немедленный

AUIRF3805S-7P

Datenblatt

Bulk HEXFET® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 160A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7820 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
2SK3432-AZ

2SK3432-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

107 3.28
- +

Добавить

Немедленный

2SK3432-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK3432-Z-AZ

2SK3432-Z-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

101 3.28
- +

Добавить

Немедленный

2SK3432-Z-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK1290-AZ

2SK1290-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

169 3.30
- +

Добавить

Немедленный

2SK1290-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK2499-Z-AZ

2SK2499-Z-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

655 3.40
- +

Добавить

Немедленный

2SK2499-Z-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK2499-S-AZ

2SK2499-S-AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

559 3.40
- +

Добавить

Немедленный

2SK2499-S-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK1292(02)-S6-AZ

2SK1292(02)-S6-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

969 3.48
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
NTE67

NTE67

MOSFET N-CHANNEL 400V 4.5A TO220

NTE Electronics, Inc

3334 10.20
- +

Добавить

Немедленный

NTE67

Datenblatt

Bag - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 780 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
2SJ495-S12-AZ

2SJ495-S12-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

989 3.52
- +

Добавить

Немедленный

2SJ495-S12-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDI038AN06A0_NL

FDI038AN06A0_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

169 3.52
- +

Добавить

Немедленный

FDI038AN06A0_NL

Datenblatt

Bulk PowerTrench® Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 6V, 10V 3.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 124 nC @ 10 V ±20V 6400 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
2SK3294-AZ

2SK3294-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

119 3.54
- +

Добавить

Немедленный

2SK3294-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
UPA1556AH(7)-AZ

UPA1556AH(7)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

393 3.55
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
RJK0701DPP-E0#T2

RJK0701DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 75V 100A TO220FP

Renesas Electronics America Inc

347 3.55
- +

Добавить

Немедленный

RJK0701DPP-E0#T2

Datenblatt

Tube - Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Ta) - 3.8mOhm @ 50A, 10V - 140 nC @ 10 V - 10 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
FCHD040N65S3-F155

FCHD040N65S3-F155

MOSFET N-CH 650V 65A TO247

onsemi

2501 10.29
- +

Добавить

Немедленный

FCHD040N65S3-F155

Datenblatt

Tube SuperFET® III Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 136 nC @ 10 V ±30V 4740 pF @ 400 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRFP451

IRFP451

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

538 3.60
- +

Добавить

Немедленный

IRFP451

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 7.9A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
RFH10N50

RFH10N50

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

302 3.61
- +

Добавить

Немедленный

RFH10N50

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10A (Tc) 10V 600mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 3000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BTS112AE3045ANTMA1

BTS112AE3045ANTMA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

300 3.63
- +

Добавить

Немедленный

BTS112AE3045ANTMA1

Datenblatt

Bulk * Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
2SK3326(9)AZ

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

379 3.64
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
H5N2007FN-E

H5N2007FN-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

466 3.65
- +

Добавить

Немедленный

H5N2007FN-E

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
FDA62N28

FDA62N28

MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN

Fairchild Semiconductor

514 3.66
- +

Добавить

Немедленный

FDA62N28

Datenblatt

Tube UniFET™ Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 280 V 62A (Tc) 10V 51mOhm @ 31A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±30V 4630 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42446 Records«Prev1... 396397398399400401402403...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Пользователи

    Пользователи