Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

English

Deutsch

Русский

Türkiye

Français

Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 +86 0755-23603516

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
PD55003TR-E FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics	3659	11.81	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	500MHz	17dB	12.5 V	2.5A	-	50 mA	3W	40 V
PD55025TR-E TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF STMicroelectronics	2748	29.66	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	500MHz	14.5dB	12.5 V	7A	-	200 mA	25W	40 V
PD55025-E FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 STMicroelectronics	2762	29.66	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tube	-	Active	LDMOS	500MHz	14.5dB	12.5 V	7A	-	200 mA	25W	40 V
PD55025S-E FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 STMicroelectronics	3565	29.66	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tube	-	Active	LDMOS	500MHz	14.5dB	12.5 V	7A	-	200 mA	25W	40 V
MRFE6VS25NR1 FET RF 133V 512MHZ TO270-2 NXP USA Inc.	3542	35.35	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	512MHz	25.4dB	50 V	-	-	10 mA	25W	133 V
CGH60008D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Wolfspeed, Inc.	2591	32.66	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	GaN	Active	HEMT	6GHz	15dB	28 V	-	-	100 mA	8W	84 V
MRFE6VP5150GNR1 FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW NXP USA Inc.	3013	39.49	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	26.1dB	50 V	-	-	100 mA	150W	133 V
CGHV1J025D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE Wolfspeed, Inc.	2438	61.58	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	GaN	Active	HEMT	18GHz	17dB	40 V	-	-	120 mA	25W	100 V
BLC10G18XS-301AVTZ BLC10G18XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP Ampleon USA Inc.	3153	77.38	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS (Dual)	1.805GHz ~ 1.88GHz	15.6dB	30 V	-	-	300 mA	300W	65 V
BLC10G22XS-301AVTZ BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP Ampleon USA Inc.	2449	77.38	- + Добавить Немедленный		Tray	BLC	Active	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	15dB	-	1.4µA	-	-	350W	65 V
BLC9H10XS-606AZ BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP Ampleon USA Inc.	2786	103.09	- + Добавить Немедленный		Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CGH27030F RF MOSFET HEMT 28V 440166 Wolfspeed, Inc.	2582	118.24	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	GaN	Active	HEMT	3GHz	14.5dB	28 V	-	-	150 mA	30W	84 V
MRF151A FET RF N-CH 50V 150W P-244 MACOM Technology Solutions	2199	119.94	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	N-Channel	30MHz ~ 175MHz	13dB ~ 22dB	50 V	16A	-	250 mA	150W	125 V
BLF573S,112 RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B Ampleon USA Inc.	2553	123.45	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	225MHz	27.2dB	50 V	42A	-	900 mA	300W	110 V
BLF984PSU BLF984PS/SOT1121/TRAY Ampleon USA Inc.	3021	144.44	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	470MHz ~ 860MHz	21dB	50 V	1.4µA	-	650 mA	350W	104 V
MRFE6VP5600HR5 FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 NXP USA Inc.	2447	144.95	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	25dB	50 V	-	-	100 mA	600W	130 V
SD2933W IC TRANS RF HF/VHF/UHF STMicroelectronics	3444	145.25	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	N-Channel	30MHz	23.5dB	50 V	40A	-	250 mA	300W	125 V
BLF989ESU BLF989ES/SOT539/TRAY Ampleon USA Inc.	2158	211.02	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	470MHz ~ 700MHz	20dB	50 V	2.8µA	-	600 mA	1000W	108 V
BLA9H0912L-250U BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY Ampleon USA Inc.	2458	243.86	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	960MHz ~ 1.215GHz	22dB	50 V	1.4µA	-	100 mA	250W	106 V
BLF189XRASU BLF189XRA/SOT539/TRAY Ampleon USA Inc.	3815	246.18	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tube	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	500MHz	26.2dB	50 V	2.8µA	-	150 mA	1700W	135 V