Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

English

Deutsch

Русский

Türkiye

Français

Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 +86 0755-23603516

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
BLC2425M9LS250Z RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 Ampleon USA Inc.	151	95.40	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	2.45GHz	18.5dB	32 V	-	-	20 mA	250W	65 V
BLS9G3135LS-115U BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY Ampleon USA Inc.	2030	102.67	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	11dB	50 V	-	-	600 mA	115W	28 V
BLF881,112 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C Ampleon USA Inc.	3648	107.04	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	860MHz	21dB	50 V	-	-	500 mA	140W	104 V
BLF884PS,112 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B Ampleon USA Inc.	2149	144.44	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	21dB	50 V	-	-	650 mA	150W	104 V
SD4933 TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177 STMicroelectronics	3803	152.46	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	N-Channel	30MHz	24dB	50 V	40A	-	250 mA	300W	200 V
VRF2933 MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 Microchip Technology	2566	164.95	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	N-Channel	150MHz	25dB	50 V	2mA	-	250 mA	300W	170 V
MRF275G FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04 MACOM Technology Solutions	100	243.96	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	2 N-Channel (Dual) Common Source	500MHz	11.2dB	28 V	26A	-	100 mA	150W	65 V
BLF978PU BLF978P/SOT539/TRAY Ampleon USA Inc.	3420	262.36	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	700MHz	24.5dB	50 V	2.8µA	-	50 mA	1200W	108 V
BLF189XRBU RF MOSFET SOT539 TRAY Ampleon USA Inc.	3402	282.08	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	108MHz	26dB	50 V	2.8µA	-	200 mA	1900W	135 V
BLS9G2731LS-400U RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B Ampleon USA Inc.	2753	298.50	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	2.7GHz ~ 3.1GHz	13dB	32 V	4µA	-	400 mA	400W	65 V
MMBFJ309LT1G RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3 onsemi	3557	0.36	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk	-	Active	N-Channel JFET	-	-	-	30mA	-	-	-	25 V
MMBFJ310LT1G RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 onsemi	3526	0.36	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	N-Channel JFET	-	12dB	10 V	60mA	-	10 mA	-	25 V
3SK294(TE85L,F) FET RF 12.5V 500MHZ USQ Toshiba Semiconductor and Storage	2122	0.48	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	N-Channel	500MHz	26dB	6 V	30mA	1.4dB	10 mA	-	12.5 V
2SK3557-7-TB-E RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP onsemi	2961	0.48	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk	-	Active	N-Channel JFET	1kHz	-	5 V	50mA	1dB	1 mA	-	15 V
AFM907NT1 RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN NXP USA Inc.	2226	3.15	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	136MHz ~ 941MHz	-	10.8 V	10µA	-	100 mA	8.4W	30 V
BLM8G0710S-30PBY RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 Ampleon USA Inc.	2249	38.53	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	957.5MHz	35dB	28 V	-	-	30 mA	3W	65 V
MRF166C FET RF 65V 500MHZ 319-07 MACOM Technology Solutions	2564	52.85	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	N-Channel	30MHz ~ 500MHz	16dB	28 V	4A	-	25 mA	20W	65 V
CGHV1J070D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE Wolfspeed, Inc.	2073	105.80	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	GaN	Active	HEMT	18GHz	17dB	40 V	-	-	360 mA	70W	100 V
CGH40025F RF MOSFET HEMT 28V 440166 Wolfspeed, Inc.	2672	139.87	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	GaN	Not For New Designs	HEMT	0Hz ~ 6GHz	13dB	28 V	7A	-	250 mA	30W	84 V
MRFE6VP100HR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4 NXP USA Inc.	3140	147.61	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	512MHz	26dB	50 V	-	-	100 mA	100W	133 V