Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

English

Deutsch

Русский

Türkiye

Français

Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 +86 0755-23603516

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
BLS6G2735L-30,112 RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A Ampleon USA Inc.	3088	173.92	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Not For New Designs	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	13dB	32 V	-	-	50 mA	30W	60 V
VRF152G RF MOSFET (VDMOS) 140V 150W 175M Microchip Technology	2327	174.58	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	2 N-Channel (Dual)	175MHz	16dB	50 V	-	-	500 mA	300W	130 V
MRF141G FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04 MACOM Technology Solutions	3041	266.84	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	2 N-Channel (Dual) Common Source	175MHz	14dB	28 V	32A	-	500 mA	300W	65 V
BLL8H1214L-500U RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A Ampleon USA Inc.	3477	336.96	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50 V	-	-	150 mA	500W	100 V
CGH21240F GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ Wolfspeed, Inc.	3532	608.71	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	GaN	Active	HEMT	1.8GHz ~ 2.3GHz	15dB	28 V	-	-	1 A	240W	84 V
IGN1011L1200 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc.	3431	914.14	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	HEMT	1.03GHz ~ 1.09GHz	16.8dB	50 V	-	-	160 mA	1250W	180 V
MRF154 FET RF 125V 100MHZ 368-03 MACOM Technology Solutions	2387	823.02	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	N-Channel	2MHz ~ 100MHz	17dB	50 V	60A	-	800 mA	600W	125 V
NPT25015D HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC MACOM Technology Solutions	2404	53.15	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tube	-	Active	HEMT	0Hz ~ 3GHz	14dB	28 V	5A	-	200 mA	1.5W	100 V
NPT1004D HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC MACOM Technology Solutions	2602	59.78	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tube	-	Active	HEMT	0Hz ~ 4GHz	13dB	28 V	9.5A	-	350 mA	37dBm	100 V
BLC9H10XS-350AZ BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP Ampleon USA Inc.	3091	73.60	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	LDMOS	617MHz ~ 960MHz	19.5dB	50 V	1.4µA	-	400 mA	350W	105 V
MCH5835-TL-E NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES onsemi	2354	0.06	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CPH3338-T-TL-H PCH 4V DRIVE SERIES onsemi	3139	0.07	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MCH6634-TL-E PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES onsemi	2629	0.07	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BF 2040 E6814 RF N-CHANNEL MOSFET Infineon Technologies	3731	0.08	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CPH5819-TL-E NCH+SBD 4V DRIVE SERIES onsemi	2767	0.10	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BF 1009SR E6327 RF N-CHANNEL MOSFET Infineon Technologies	2644	0.11	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	N-Channel	800MHz	22dB	9 V	25mA	1.4dB	-	-	12 V
2SK937Y4-AA NCH J-FET onsemi	2916	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CPH3445-TL-E NCH 4V DRIVE SERIES onsemi	2649	0.12	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CPH5820-TL-E PCH+SBD 4V DRIVE SERIES onsemi	2497	0.14	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FC18G-TL NCH J-FET+BIP NPN onsemi	2539	0.15	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-