Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

English

Deutsch

Русский

Türkiye

Français

Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 +86 0755-23603516

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
TM-30 TM-30 - 30W BROADBAND RF POWER G Ampleon USA Inc.	244	130.82	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Obsolete	GaN HEMT	-	-	-	-	-	-	30W	-
CLF1G0035S-50 CLF1G0035S-50 - 50W BROADBAND RF Ampleon USA Inc.	260	133.33	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AFT26H250-24SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	438	138.92	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF7S24250NR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	250	139.58	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	2.45GHz	14.7dB	30 V	-	-	100 mA	256W	65 V
MRF8S9170NR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- NXP USA Inc.	750	141.00	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CLF1G0035-50 CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF Ampleon USA Inc.	318	153.13	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	GaN HEMT	3GHz	11.5dB	50 V	-	-	150 mA	50W	150 V
A2T26H160-24SR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	191	153.33	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	2.58GHz	15.5dB	28 V	-	-	350 mA	28W	65 V
MRFX1K80NR5 RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L NXP USA Inc.	3029	171.95	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	1.8MHz ~ 470MHz	24dB	65 V	-	-	-	1800W	-
MRFE6VP61K25NR6 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST Freescale Semiconductor	3185	190.65	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF6VP3450HR5 LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P NXP Semiconductors	595	191.98	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual), Common Source	470MHz ~ 860MHz	22.5dB	50 V	10µA	-	1.4 A	450W	110 V
MMRF1306HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	2265	194.67	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	24dB	50 V	-	-	100 mA	1250W	133 V
A2T21H360-24SR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2234	197.03	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SA2T18H450W19SR6 A2T18H450 - AIRFAST RF POWER LDM NXP Semiconductors	2211	197.60	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual)	1.805GHz ~ 1.88GHz	16.6dB	30 V	10µA	-	800 mA	89W	65 V
MMRF5017HSR5 RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S NXP USA Inc.	3637	253.66	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Active	HEMT	30MHz ~ 2.2GHz	18.4dB	50 V	-	-	200 mA	125W	150 V
CLF1G0035S-100 CLF1G0035S-100 - 100W BROADBAND NXP Semiconductors	3020	202.89	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A2T21H450W19SR6 A2T21H450W19 - AIRFAST RF POWER NXP Semiconductors	277	217.43	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Obsolete	LDMOS	2.11GHz ~ 2.2GHz	15.7dB	30 V	10µA	-	800 mA	89W	65 V
TM-100 TM-100 - 100W BROADBAND RF POWER Ampleon USA Inc.	108	219.99	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	-	Obsolete	GaN HEMT	-	-	-	-	-	-	100W	-
AFV09P350-04GNR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	253	233.10	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	920MHz	19.5dB	48 V	-	-	860 mA	100W	105 V
CLF1G0035-100 CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R Rochester Electronics, LLC	146	233.33	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Obsolete	HEMT	3.5GHz	12dB	50 V	-	-	330 mA	100W	150 V
MRF6VP11KHR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR NXP USA Inc.	971	274.65	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-