Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.!

+86 15361839241 +86 0755-23603516
Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
BUZ102SL

BUZ102SL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2439 1.00
- +

Добавить

Немедленный

BUZ102SL

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BUZ103SL

BUZ103SL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2281 1.00
- +

Добавить

Немедленный

BUZ103SL

Datenblatt

Bulk - Active - - - - - - - - - - - - - -
IPW90R800C3

IPW90R800C3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2088 1.00
- +

Добавить

Немедленный

IPW90R800C3

Datenblatt

Bulk CoolMOS™ Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.9A (Tc) 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 3.5V @ 460µA 42 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BUZ101SL

BUZ101SL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

3597 1.00
- +

Добавить

Немедленный

BUZ101SL

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2N7002PS/ZL115

2N7002PS/ZL115

N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

NXP USA Inc.

3719 1.00
- +

Добавить

Немедленный

2N7002PS/ZL115

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2N7002BKV/DG/B2115

2N7002BKV/DG/B2115

N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

NXP USA Inc.

3803 1.00
- +

Добавить

Немедленный

2N7002BKV/DG/B2115

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK1161-E

2SK1161-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

3861 1.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2N6786

2N6786

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

3895 1.00
- +

Добавить

Немедленный

2N6786

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.25A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 1.25A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 15W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF341

IRF341

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

3892 1.00
- +

Добавить

Немедленный

IRF341

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 350 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1250 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF620B

IRF620B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3775 1.00
- +

Добавить

Немедленный

IRF620B

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±30V 390 pF @ 25 V - 47W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BUZ355

BUZ355

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

3199 1.00
- +

Добавить

Немедленный

BUZ355

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BUZ103SL-E3045A

BUZ103SL-E3045A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2670 1.00
- +

Добавить

Немедленный

BUZ103SL-E3045A

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRF442

IRF442

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

3754 1.00
- +

Добавить

Немедленный

IRF442

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1225 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
BUZ311

BUZ311

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2760 1.00
- +

Добавить

Немедленный

BUZ311

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK1284-Z-E2-AZ

2SK1284-Z-E2-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2538 1.00
- +

Добавить

Немедленный

2SK1284-Z-E2-AZ

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK1306-E

2SK1306-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2408 1.00
- +

Добавить

Немедленный

2SK1306-E

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
BUZ72A

BUZ72A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

2426 1.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
2SK1299STL-E

2SK1299STL-E

GENERAL SWITCHING POWER MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2906 1.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - - - - -
IRF640R

IRF640R

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

3253 1.00
- +

Добавить

Немедленный

IRF640R

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 1275 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
IRF630A

IRF630A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3547 1.00
- +

Добавить

Немедленный

IRF630A

Datenblatt

Bulk - Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 650 pF @ 25 V - 72W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
Total 42446 Records«Prev1... 872873874875876877878879...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Пользователи

    Пользователи