Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.!

+86 15361839241 +86 0755-23603516
Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType Technology DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs Vgs(Max) InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds FETFeature PowerDissipation(Max) OperatingTemperature MountingType
STL287N4F7AG

STL287N4F7AG

MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8

STMicroelectronics

3536 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - - - - - - -
STL8N6LF3

STL8N6LF3

MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT

STMicroelectronics

2480 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STL8N6LF3

Datenblatt

Tape & Reel (TR) Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 5V, 10V 30mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 668 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount
STL9N80K5

STL9N80K5

MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

STMicroelectronics

3792 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tape & Reel (TR) MDmesh™ K5 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V - - - - - - 110W (Tc) - Surface Mount
SCTWA30N120

SCTWA30N120

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

STMicroelectronics

559 0.00
- +

Добавить

Немедленный

SCTWA30N120

Datenblatt

Tube - Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 45A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 3.5V @ 1mA (Typ) 105 nC @ 20 V +25V, -10V 1700 pF @ 400 V - 270W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) Through Hole
STF22NM60ND

STF22NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP

STMicroelectronics

3520 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STF22NM60ND

Datenblatt

Tube Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±25V 1800 pF @ 50 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) Through Hole
STFI10LN80K5

STFI10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP

STMicroelectronics

2226 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STFI10LN80K5

Datenblatt

Tube MDmesh™ K5 Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STFI11N60M2-EP

STFI11N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP

STMicroelectronics

2567 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STFI11N60M2-EP

Datenblatt

Tube MDmesh™ Obsolete - - - 7.5A (Tc) - - - - - - - - - -
STFI14N80K5

STFI14N80K5

MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP

STMicroelectronics

2158 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STFI14N80K5

Datenblatt

Tube MDmesh™ K5 Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 445mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STFI16N65M2

STFI16N65M2

MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP

STMicroelectronics

3091 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube * Active - - - - - - - - - - - - - -
STFI18N65M2

STFI18N65M2

MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP

STMicroelectronics

2979 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube * Active - - - - - - - - - - - - - -
STFI5N80K5

STFI5N80K5

MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP

STMicroelectronics

3622 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STFI5N80K5

Datenblatt

Tube MDmesh™ K5 Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 5.5 nC @ 10 V ±30V 177 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STFW20N65M5

STFW20N65M5

MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT

STMicroelectronics

3175 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STFW20N65M5

Datenblatt

Tube MDmesh™ M5 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±25V 1434 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STFW24NM60N

STFW24NM60N

MOSFET N-CH 600V TO-3PH

STMicroelectronics

3010 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube * Active - - - - - - - - - - - - - -
STI175N4F6AG

STI175N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

STMicroelectronics

3523 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube STripFET™ F6 Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 7735 pF @ 20 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
STI20N60M2-EP

STI20N60M2-EP

MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

STMicroelectronics

2585 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube MDmesh™ M2-EP Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 278mOhm @ 6.5A, 10V 4.75V @ 250µA 21.7 nC @ 10 V ±25V 787 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STP110N7F6

STP110N7F6

MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220

STMicroelectronics

2356 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STP110N7F6

Datenblatt

Tube STripFET™ F6 Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 68 V 110A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 5850 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
STP140N4F6

STP140N4F6

MOSFET N-CHANNEL 40V 80A TO220

STMicroelectronics

2027 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube STripFET™ F6 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V - - - - - - 168W (Tc) - Through Hole
STP78NF55-08

STP78NF55-08

MOSFET N-CH 550V TO-220

STMicroelectronics

3066 0.00
- +

Добавить

Немедленный

STP78NF55-08

Datenblatt

Tube STripFET™ II Obsolete - - - 80A (Tc) - - - - - - - - - -
STW20N60M2-EP

STW20N60M2-EP

MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO247

STMicroelectronics

3249 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube MDmesh™ M2-EP Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 278mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 21.7 nC @ 10 V ±25V 787 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
STW240N10F7

STW240N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO247

STMicroelectronics

3046 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Tube STripFET™ F7 Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 3mOhm @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 11550 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole
Total 42446 Records«Prev1... 19881989199019911992199319941995...2123Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Пользователи

    Пользователи