Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 0755-23603516

Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
MRFG35010NR5 FET RF 15V 3.55GHZ Freescale Semiconductor	688	34.66	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Active	pHEMT FET	3.55GHz	10dB	12 V	-	-	180 mA	9W	15 V
MRF21060R3 N-CHANNEL POWER MOSFET Freescale Semiconductor	736	37.85	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	2.1GHz ~ 2.2GHz	12.5dB	28 V	6µA	-	500 mA	60W	65 V
MRF9030LR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	750	37.87	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	1GHz	19dB	26 V	10µA	-	250 mA	30W	68 V
MRF5P21045NR1 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	2877	38.30	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	2.11GHz ~ 2.17GHz	14.5dB	28 V	10µA	-	500 mA	10W	65 V
MRF5S9100NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	2819	38.33	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	880MHz	19.5dB	26 V	-	-	950 mA	20W	68 V
CGH60015D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Wolfspeed, Inc.	130	60.76	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	GaN	Not For New Designs	HEMT	6GHz	15dB	28 V	-	-	200 mA	15W	84 V
MRF21010LR1 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	3466	39.42	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	2.17GHz	13.5dB	28 V	-	-	100 mA	10W	65 V
MRF5S21045NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor	232	40.77	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	2.12GHz	14.5dB	28 V	-	-	500 mA	10W	68 V
MRF18030BLSR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	210	41.84	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	N-Channel	1.8GHz ~ 2GHz	14dB	26 V	1µA	-	250 mA	30W	65 V
MRF7P20040HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	2871	43.33	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	1.8GHz ~ 2.2GHz	18.2dB	32 V	10µA	-	150 mA	10W	65 V
MRF5S19060NR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor	972	43.59	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	1.99GHz	14dB	28 V	-	-	750 mA	12W	65 V
MRF5S9101NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	720	43.66	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	-	869MHz ~ 960MHz	17.5dB	26 V	10µA	-	700 mA	100W	68 V
MRF5S9101MR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	166	43.71	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	-	869MHz ~ 960MHz	17.5dB	26 V	10µA	-	700 mA	100W	68 V
MRF5S9101MBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	107	43.71	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	960MHz	17.5dB	26 V	-	-	700 mA	100W	68 V
MRF7S19100NR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor	3958	43.87	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	17.5dB	28 V	-	-	1 A	29W	65 V
MRF6S19060NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor	3178	44.06	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	1.93GHz	16dB	28 V	-	-	610 mA	12W	68 V
MRF6S19060NR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor	744	44.06	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	1.93GHz ~ 1.9GHz	16dB	28 V	10µA	-	610 mA	12W	68 V
MRF21030LR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	298	45.25	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	2.14GHz	13dB	28 V	-	-	250 mA	30W	65 V
MRF5S19060NBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor	332	46.39	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	1.99GHz	14dB	28 V	-	-	750 mA	12W	65 V
MRF5S19060MR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor	2017	46.47	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	14dB	28 V	10µA	-	750 mA	12W	65 V