Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

English

Deutsch

Русский

Türkiye

Français

Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 +86 0755-23603516

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
AFV141KGSR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	2047	670.96	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.4GHz	17.7dB	50 V	-	-	100 mA	1000W	105 V
MMRF1314GSR5 TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V NXP USA Inc.	2743	670.96	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.4GHz	17.7dB	50 V	-	-	100 mA	1000W	105 V
A3G26D055N-2600 A3G26D055N 2515-2675 MHZ REFEREN NXP USA Inc.	3573	675.00	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	-	100MHz ~ 2.69GHz	13.9dB	48 V	-	-	40 mA	8W	125 V
AFV121KHSR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	3636	686.18	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	960MHz ~ 1.22GHz	19.6dB	50 V	-	-	100 mA	1000W	112 V
AFV121KGSR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	3460	687.47	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	960MHz ~ 1.22GHz	19.6dB	50 V	-	-	100 mA	1000W	112 V
MRF6V14300HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor	2219	442.06	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	LDMOS	1.4GHz	18dB	50 V	-	-	150 mA	330W	100 V
PTVA101K02EV-V1-R250 RF DEVELOPMENT TOOLS Wolfspeed, Inc.	2395	703.16	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF1312GSR5 TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V NXP USA Inc.	3594	724.60	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.03GHz	19.6dB	50 V	-	-	100 mA	1000W	112 V
MRF6VP121KHR5 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H NXP USA Inc.	3079	663.23	- + Добавить Немедленный		Tape & Reel (TR),Bulk	-	Not For New Designs	LDMOS (Dual)	1.03GHz	20dB	50 V	-	-	150 mA	1000W	110 V
MMRF1007HSR5 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S NXP USA Inc.	2783	751.92	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.03GHz	20dB	50 V	-	-	150 mA	1000W	110 V
MMRF1314HSR5 TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V NXP USA Inc.	3133	794.97	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.4GHz	17.7dB	50 V	-	-	500 mA	1000W	105 V
AFV121KHR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	3318	829.96	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	960MHz ~ 1.22GHz	19.6dB	50 V	-	-	100 mA	1000W	112 V
GTVA107001EC-V1-R250 700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ Wolfspeed, Inc.	3189	0.00	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR)	GaN	Active	HEMT	960MHz ~ 1.215GHz	20dB	50 V	-	-	100 mA	700W	125 V
MRF24301HS-2450 MRF24301HS-2450 NXP USA Inc.	3990	900.00	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF1317HSR5 TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V NXP USA Inc.	2385	929.57	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.03GHz	18.2dB	50 V	-	-	100 mA	1300W	105 V
MRF300AN-27MHZ MRF300AN REF BRD 27MHZ 330W NXP USA Inc.	3954	945.00	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Active	LDMOS	1.8MHz ~ 250MHz	28.2dB	50 V	10µA	-	100 mA	300W	133 V
GTVA101K42EV-V1-R250 GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ Wolfspeed, Inc.	2617	1091.11	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	GaN	Active	HEMT	960MHz ~ 1.215GHz	17dB	50 V	-	-	200 mA	1400W	125 V
ASC2406 HIGH POWER AMPLIFIER Amplifier Solutions Corp.	3599	1187.00	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Box	-	Active	-	200MHz ~ 1800MHz	38dB	-	-	5dB	-	10W	28 V
MRF7S24250N-3STG MRF7S24250N-3STG NXP USA Inc.	3220	1245.00	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF5017HS-1GHZ MMRF5017HS 30-940 MHZ REFERENCE NXP USA Inc.	2252	1245.00	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tray	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-