Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.!

+86 15361839241 +86 0755-23603516
Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Таблицы данных Packaging Series ProductStatus FETType FETFeature DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds Power-Max OperatingTemperature MountingType
RF1S17N06L

RF1S17N06L

DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V)

Harris Corporation

2925 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
2SJ664-E

2SJ664-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET

onsemi

2921 0.67
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
NDH8321C

NDH8321C

P-CHANNEL MOSFET

Fairchild Semiconductor

3498 0.67
- +

Добавить

Немедленный

NDH8321C

Datenblatt

Bulk - Active N and P-Channel Standard 20V 3.8A (Ta), 2.7A (Ta) 35mOhm @ 3.8A, 4.5V, 70mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V 700pF @ 10V, 865pF @ 10V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
RF1K4915496

RF1K4915496

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2728 0.70
- +

Добавить

Немедленный

RF1K4915496

Datenblatt

Bulk LittleFET™ Active 2 N-Channel (Dual) Standard 60V 2A (Ta) 130mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 32nC @ 20V 340pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDSS2407S_B82086

FDSS2407S_B82086

3.3A, 62V, 0.11OHM, 2-ELEMENT

Fairchild Semiconductor

783 783.00
- +

Добавить

Немедленный

FDSS2407S_B82086

Datenblatt

Bulk PowerTrench® Active 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 62V 3.3A (Ta) 110mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 4.3nC @ 5V 300pF @ 15V 2.27W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
ISL6605CB-TS2495

ISL6605CB-TS2495

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Intersil

3281 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
IPU80R750P7AKMA1-ND

IPU80R750P7AKMA1-ND

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

3145 0.71
- +

Добавить

Немедленный

IPU80R750P7AKMA1-ND

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
NDS8936

NDS8936

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3543 0.72
- +

Добавить

Немедленный

NDS8936

Datenblatt

Bulk - Obsolete 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 5.3A 35mOhm @ 5.3A, 10V 2.8V @ 250µA 30nC @ 10V 720pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
FDU6670AS

FDU6670AS

TRANS MOSFET N-CH 30V 3PIN(3+TAB

Fairchild Semiconductor

2277 0.72
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
FDS4885C

FDS4885C

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2759 0.72
- +

Добавить

Немедленный

FDS4885C

Datenblatt

Bulk PowerTrench® Obsolete N and P-Channel Standard 40V 7.5A, 6A 22mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 250µA 21nC @ 10V 900pF @ 20V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
UPA1874BGR-9JG-E1-A

UPA1874BGR-9JG-E1-A

POWER, 8A, 30V, N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics America Inc

2963 0.73
- +

Добавить

Немедленный

Bulk - Obsolete 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 14mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V @ 1mA 10nC @ 4V 930pF @ 10V 2W - Surface Mount
IRF740S2515

IRF740S2515

10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P

Harris Corporation

2538 0.73
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
FDPF9N50NZ-FS

FDPF9N50NZ-FS

500V N-CHANNEL UNIFET2 MOSFET

Fairchild Semiconductor

3800 0.73
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
RF1S30N06LE

RF1S30N06LE

30A, 60V, 0.047OHM, N-CHANNEL

Harris Corporation

3630 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
LM2724MX/NOPB

LM2724MX/NOPB

HIGH SPEED 3A SYNCHRONOUS MOSFE

National Semiconductor

3388 0.75
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
IPA126N10N3G

IPA126N10N3G

35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL

Infineon Technologies

3538 0.75
- +

Добавить

Немедленный

IPA126N10N3G

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
2SK2631-TL-E

2SK2631-TL-E

POWER MOSFET

Sanyo

665 0.76
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
FW803-TL-E

FW803-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

3525 0.77
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
HAT2218R-EL-E

HAT2218R-EL-E

POWER, 7.5A, 30V, N-CH MOSFET

Renesas Electronics America Inc

3011 0.77
- +

Добавить

Немедленный

HAT2218R-EL-E

Datenblatt

Bulk - Obsolete 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 7.5A, 8A 24mOhm @ 3.75A, 10V - 4.6nC @ 4.5V 630pF @ 10V 1.5W 150°C (TJ) Surface Mount
ISL6594ACRZ-TR5212

ISL6594ACRZ-TR5212

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Intersil

2306 0.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - - -
Total 5629 Records«Prev1... 4344454647484950...282Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Пользователи

    Пользователи