Transistors - Bipolar (BJT) - Single - Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

English

Deutsch

Русский

Türkiye

Français

Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 +86 0755-23603516

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Current-Collector(Ic)(Max)	Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	VceSaturation(Max)@IbIc	Current-CollectorCutoff(Max)	DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce	Power-Max	Frequency-Transition	OperatingTemperature	MountingType
2SC3851 BJT ITO-220AB 60V 4000MA Diotec Semiconductor	2294	2.44	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Tube	-	Active	NPN	4 A	60 V	500mV @ 200mA, 2A	100µA (ICBO)	40 @ 1A, 4V	25 W	15MHz	150°C (TJ)	Through Hole
2N5682 TRANS NPN 120V TO39 Solid State Inc.	480	0.75	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Active	NPN	-	120 V	-	-	-	-	-	-	Through Hole
BD17910STU TRANS NPN 80V 3A TO126-3 Fairchild Semiconductor	2672	0.45	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	NPN	3 A	80 V	800mV @ 100mA, 1A	100µA (ICBO)	63 @ 150mA, 2V	30 W	3MHz	150°C (TJ)	Through Hole
FJP5555TU TRANS NPN 400V 5A TO220-3 Fairchild Semiconductor	2636	0.45	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	NPN	5 A	400 V	1.5V @ 1A, 3.5A	-	20 @ 800mA, 3V	75 W	-	150°C (TJ)	Through Hole
FJE5304DTU TRANS NPN 400V 4A TO126-3 onsemi	3164	0.47	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	NPN	4 A	400 V	1.5V @ 500mA, 2.5A	100µA	8 @ 2A, 5V	30 W	-	-	Through Hole
BUJ106A,127 NOW WEEN - BUJ106A - POWER BIPOL NXP USA Inc.	955	0.47	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	NPN	10 A	400 V	1V @ 1.2A, 6A	100µA	14 @ 500mA, 5V	80 W	-	150°C (TJ)	Through Hole
NTE2517 TRANS NPN 50V 2.5A TO204AA NTE Electronics, Inc	110	0.90	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bag	-	Active	NPN	2.5 A	50 V	300mV @ 50mA, 1A	100nA (ICBO)	140 @ 100mA, 2V	1.5 W	140MHz	150°C (TJ)	Through Hole
2N6486 TRANS NPN TO220 Solid State Inc.	3913	0.99	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Active	NPN	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole
2SD1830 POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10 onsemi	2070	0.52	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SC4710LS 2SC4710LS - POWER BIPOLAR TRANSI onsemi	2613	0.52	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SD1828 2SD1828 - POWER BIPOLAR TRANSIST onsemi	883	0.52	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SA1699E-PM-AA 2SA1699E - PNP EPITAXIAL PLANAR Fairchild Semiconductor	2853	0.53	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BDX33C TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB onsemi	2427	0.54	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	NPN - Darlington	10 A	100 V	2.5V @ 6mA, 3A	500µA	750 @ 3A, 3V	70 W	-	150°C (TJ)	Through Hole
2SB647DTZ SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Renesas Electronics America Inc	2207	0.00	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FJPF2145TU TRANS NPN 800V 5A TO220F-3 Fairchild Semiconductor	3575	0.60	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	ESBC™	Active	NPN	5 A	800 V	2V @ 300mA, 1.5A	10µA (ICBO)	20 @ 200mA, 5V	40 W	15MHz	-55°C ~ 125°C (TJ)	Through Hole
CS951254DR8G SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR onsemi	2154	0.00	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SA1871-T1-AZ 2SA1871-T1-AZ - PNP SILICON TRIP Renesas	2594	0.74	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Obsolete	PNP	1 A	600 V	1V @ 60mA, 300mA	10µA (ICBO)	30 @ 100mA, 5V	2 W	30MHz	150°C (TJ)	Surface Mount
FJB5555TM TRANS NPN 400V 5A D2PAK Fairchild Semiconductor	591	0.76	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	NPN	5 A	400 V	1.5V @ 1A, 3.5A	-	20 @ 800mA, 3V	1.6 W	-	150°C (TJ)	Surface Mount
2SB1261(1)-AZ 2SB1261 - PNP SILICON EPITAXIAL Renesas	2244	0.77	- + Добавить Немедленный		Bulk	-	Obsolete	PNP	3 A	60 V	300mV @ 150mA, 1.5A	10µA (ICBO)	100 @ 600mA, 2V	2 W	50MHz	150°C (TJ)	Surface Mount
2SK1896 2SK1896 - NPN TRIPLE DIFFUSED PL Sanyo	3439	0.77	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-