Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.!

+86 15361839241 +86 0755-23603516
Фотографии Производитель. Часть # Акции Цены А Таблицы данных Packaging Series ProductStatus TransistorType Current-Collector(Ic)(Max) Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) VceSaturation(Max)@IbIc Current-CollectorCutoff(Max) DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce Power-Max Frequency-Transition OperatingTemperature MountingType
UPD31577S1-F6-A

UPD31577S1-F6-A

TRANSISTOR BJT NPN 150V 1A

Renesas Electronics America Inc

412 25.75
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
LM195K/883

LM195K/883

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

National Semiconductor

358 30.80
- +

Добавить

Немедленный

LM195K/883

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - -
UPD8831BCT-FAB-A

UPD8831BCT-FAB-A

DISCRETE / POWER TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

3809 34.13
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
UPD3747AD-A

UPD3747AD-A

DISCTRETE/ POWER TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

2246 44.25
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF521

BLF521

RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA

Ampleon USA Inc.

202 46.69
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
NTE16007

NTE16007

TRANS NPN 55V 3A TO8

NTE Electronics, Inc

2977 72.80
- +

Добавить

Немедленный

NTE16007

Datenblatt

Bag - Active NPN 3 A 55 V 750mV @ 40mA, 750mA 15µA (ICBO) 35 @ 750mA, 4V 25 W - -65°C ~ 200°C Through Hole
JANS2N3637

JANS2N3637

TRANS PNP 175V 1A TO39

Microchip Technology

445 87.15
- +

Добавить

Немедленный

JANS2N3637

Datenblatt

Bulk Military, MIL-PRF-19500/357 Active PNP 1 A 175 V 600mV @ 5mA, 50mA 10µA 100 @ 50mA, 10V 1 W - -65°C ~ 200°C (TJ) Through Hole
A2T07D160W04SR3128

A2T07D160W04SR3128

RF POWER LDMOS TRANSISTOR

NXP USA Inc.

3805 78.25
- +

Добавить

Немедленный

A2T07D160W04SR3128

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF10M6200112

BLF10M6200112

POWER LDMOS TRANSISTOR

NXP USA Inc.

2284 81.05
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF10M6200112-AMP

BLF10M6200112-AMP

POWER LDMOS TRANSISTOR

Ampleon USA Inc.

537 81.05
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF10M6LS200U112

BLF10M6LS200U112

POWER LDMOS TRANSISTOR

NXP USA Inc.

260 88.00
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF644P112

BLF644P112

BROADBAND POWER LDMOS TRANSISTOR

NXP USA Inc.

2005 139.01
- +

Добавить

Немедленный

BLF644P112

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLA1011-200H

BLA1011-200H

200H 200W LDMOS AVIONICS POWER T

Ampleon USA Inc.

3174 156.86
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF574XRS112

BLF574XRS112

POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT1214

NXP USA Inc.

3699 178.84
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
FT150R12KE3B5BDLA1

FT150R12KE3B5BDLA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

378 199.99
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
CLF1G0035S-100

CLF1G0035S-100

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

NXP USA Inc.

3171 202.89
- +

Добавить

Немедленный

CLF1G0035S-100

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF888D112

BLF888D112

UHF POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT5

NXP USA Inc.

122 231.64
- +

Добавить

Немедленный

BLF888D112

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF888DU112

BLF888DU112

UHF POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT5

NXP USA Inc.

141 264.95
- +

Добавить

Немедленный

BLF888DU112

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - -
BLF888DS112

BLF888DS112

UHF POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT5

NXP USA Inc.

3003 264.95
- +

Добавить

Немедленный

BLF888DS112

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - - -
RX1214B280YH

RX1214B280YH

MICROWAVE POWER TRANSISTOR

Ampleon USA Inc.

156 297.25
- +

Добавить

Немедленный

Bulk * Active - - - - - - - - - -
Total 23278 Records«Prev1... 163164165166167168169170...1164Next»
Запрос котировок
Номер запчасти
А
Связь
Электронная почта
Замечания
  • Домой

    Домой

    Продукты

    Продукты

    Телефон

    Телефон

    Пользователи

    Пользователи