Transistors - Bipolar (BJT) - Single - Element(Гонконг) Technology Co., Ltd.

English

Deutsch

Русский

Türkiye

Français

Добро пожаловать Element Technology Co., Ltd.！

+86 15361839241 +86 0755-23603516

Грузовой

Все категории

Другие категории продукции >>

Производитель. Часть #	Акции	Цены	А	Таблицы данных	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Current-Collector(Ic)(Max)	Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	VceSaturation(Max)@IbIc	Current-CollectorCutoff(Max)	DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce	Power-Max	Frequency-Transition	OperatingTemperature	MountingType
2SB1229T-AA PNP SILICON TRANSISTOR Sanyo	2670	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SA1207T-AA SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Sanyo	2897	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SA1763-TL-E BIP PNP 0.2A 15V onsemi	2476	0.12	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CPH6202-TL-E BIP NPN 1A 50V onsemi	3687	0.12	- + Добавить Немедленный		Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SA1528 PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Sanyo	3005	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MPSW56 TRANS PNP 80V 1A TO226-3 Fairchild Semiconductor	3968	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Obsolete	PNP	1 A	80 V	500mV @ 10mA, 250mA	500nA	50 @ 250mA, 1V	1 W	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole
2SC3402 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN onsemi	2822	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
KSA1201OTF TRANS PNP 120V 0.8A SOT89-3 Fairchild Semiconductor	2207	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Obsolete	PNP	800 mA	120 V	1V @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	80 @ 100mA, 5V	1 W	120MHz	150°C (TJ)	Surface Mount
MPSW01 TRANS NPN 30V 1A TO92 Fairchild Semiconductor	2571	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Obsolete	NPN	1 A	30 V	500mV @ 100mA, 1A	-	50 @ 1A, 1V	1 W	50MHz	-	Through Hole
TN6717A TRANS NPN 80V 1.2A TO226-3 Fairchild Semiconductor	2233	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	NPN	1.2 A	80 V	350mV @ 10mA, 250mA	100nA (ICBO)	50 @ 250mA, 1V	1 W	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole
MPSA12 TRANS NPN DARL 20V TO92 NTE Electronics, Inc	3451	0.16	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bag	-	Active	NPN - Darlington	-	20 V	1V @ 10µA, 10mA	100nA (ICBO)	20000 @ 10mA, 5V	625 mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole
2N5401 TRANS PNP 150V 0.6A TO92 NTE Electronics, Inc	2556	0.12	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bag	-	Active	PNP	600 mA	150 V	500mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	60 @ 10mA, 5V	625 mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole
MPSA56 TRANS PNP 80V 0.5A TO92 NTE Electronics, Inc	2428	0.17	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bag	-	Active	PNP	500 mA	80 V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA	50 @ 10mA, 1V	625 mW	50MHz	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole
BC337 TRANS NPN 45V 0.8A TO92 NTE Electronics, Inc	740	0.17	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bag	-	Active	NPN	800 mA	45 V	700mV @ 50mA, 500mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	625 mW	100MHz	150°C (TJ)	Through Hole
PBSS5160PAPS115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	2470	0.13	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BSP60 TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4 Infineon Technologies	3066	0.13	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	PNP - Darlington	1 A	45 V	1.8V @ 1mA, 1A	10µA	2000 @ 500mA, 10V	1.5 W	200MHz	150°C (TJ)	Surface Mount
BSP60E6327 TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4 Infineon Technologies	3920	0.13	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	PNP - Darlington	1 A	45 V	1.8V @ 1mA, 1A	10µA	2000 @ 500mA, 10V	1.5 W	200MHz	150°C (TJ)	Surface Mount
BC807-16 TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Infineon Technologies	2404	0.13	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	-	Active	PNP	800 mA	45 V	700mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 100mA, 1V	310 mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount
BCX69-25E6327 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Infineon Technologies	2261	0.13	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
PBSS4160PANPS115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.	2090	0.13	- + Добавить Немедленный	Datenblatt	Bulk	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-