Введение в знания полупроводникового материала

Кремний является наиболее распространенным полупроводниковым материалом, который имеет преимущества хорошей стабильности, низкой стоимости и зрелой технологии переработки. Кремниевые материалы могут быть изготовлены из монокристаллического кремния, поликремния, аморфного кремния и других форм, из которых монокристаллический кремний наиболее широко используется при производстве интегральных схем. Основным недостатком кремниевых материалов является то, что они плохо в электрической проводимости и должны быть накачаны с другими элементами для улучшения их электрической проводимости.

Нитрид Галлия (ган)

Нитрид Галлия — это новый полупроводниковый материал с высокой электронной подвижностью, высокой проводимостью и высокой термоустойчивостью. Нитрид Галлия может использоваться для производства высокоэффективных светодиодов и высокомощных полупроводниковых приборов. Кроме того, нитрид Галлия может также использоваться в аэрокосмической, оборонной, коммуникационной и других областях.

В-третьих, карбид кремния (SiC)

Карбид кремния является новым полупроводниковым материалом, который имеет преимущества высокой термоустойчивости, высокочастотных характеристик и высокой сопротивления напряжений. Карбид кремния может использоваться для производства высокомощных, высокочастотных и высокотемпературных полупроводниковых устройств, таких как усилители питания, высокоскоростные выключатели, радиочастотные устройства и т.д.

Фосфид Галлия (GaP)

Фосфид Галлия является широко используемым полупроводниковым материалом, который имеет характеристики высокой проводимости и высокой фотоэлектрической эффективности преобразования. Фосфид Галлия может использоваться в производстве солнечных элементов, фотодетекторов, фотопроводности и светодиодных устройств.

5.  Оксид алюминия (l2O3)

Глинозема является широко используемым изоляционным материалом, который имеет характеристики высокой диэлектрической постоянной, высокой резистентности и высокой термостойкостью. Глинозема может использоваться для изготовления изоляционных слоев в таких устройствах, как MOSFETs и DRMS.

Арсенид Галлия (газ)

Арсенид Галлия является полупроводниковым материалом с высокой электронной подвижностью и высокой скоростью. Арсенид Галлия может использоваться для производства высокоскоростных электронных устройств, таких как высокоскоростные транзисторы, высокоскоростные фотодетекторы и высокоскоростные логические схемы.

Семерка, нитрид кремния (Si3N4)

Силиконовый нитрид представляет собой изоляционный материал с высокой диэлектрической константой и высокой теплостойкостью. Нитрид кремния может быть использован для изготовления изоляционных слоев в моффетах, DRMS и других устройствах.